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气冷    相关研究成果以VerticalMoS2 transistorswithsub-1-nmgatelengths为题发表在Nature上。二、连自【成果掠影】     今日，连自清华大学任天令教授和田禾副教授（共同通讯作者）等人使用石墨烯层的边缘作为栅极，演示了具有原子级薄沟道和物理栅极长度低于1nm的侧壁MoS2晶体管。

CVD石墨烯薄膜具有高导电性，己家进可以最大限度地减少沿栅极层的电压降。近年来，门都涵盖从半金属、半导体到绝缘体的广泛使用的导电性二维材料，在下一代电子器件中引起了极大的关注。当天到定程度这项工作促进了一种将栅极长度缩小到1nm以下的晶圆级生产方法的发展。

气冷材料人投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaokefu。文献链接：连自VerticalMoS2 transistorswithsub-1-nmgatelengths（Nature，2022，DOI：10.1038/s41586-021-04323-3）本文由材料人CYM编译供稿。

尽管如此，己家进这项工作对晶体管缩放至其物理极限提供了新的见解，并揭示了突破摩尔定律，实现1nm以下晶体管的巨大潜力。

0.34nm栅极长度的侧壁晶体管显示出良好的开关特性，门都开/关比高达1.02×105和亚阈值摆幅值低至117mVdec-1。当天到定程度相关文章：催化想发好文章？常见催化机理研究方法了解一下。

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散射角的大小与样品的密度、己家进厚度相关，因此可以形成明暗不同的影像，影像将在放大、聚焦后在成像器件上显示出来。目前，门都陈忠伟课题组在对锂硫电池的研究中取得了突破性的进展，门都研究人员使用原位XRD技术对小分子蒽醌化合物作为锂硫电池正极的充放电过程进行表征并解释了其反应机理（NATURECOMMUN.,2018,9,705），如图二所示。